Завод по производству флэш-памяти 3D NAND компании Micron в Сингапуре был официально завершен 14-го числа. Микрон отметил, что это стратегия, направленная на удовлетворение потребностей клиентов в таких областях, как 5G, искусственный интеллект и автономное вождение, и является важным макетом для преобразования сингапурской индустрии производства флэш-памяти в Micron.
Сингапур является важной базой для производства флэш-памяти Micron. Тайвань и Япония находятся в центре производства динамической оперативной памяти (DRAM). В последние годы Micron расширила свои инвестиции в Азии. Япония продолжает продвигать передовые процессы DRAM и создает первое упаковочное производство Micron в DRAM в Тайчжуне. Завод DRAM в Тайчжуне и Таоюане является Центром превосходства DRAM компании Micron. Micron также пообещал расширить масштабы производства DRAM на Тайване. Соответствующий план передан на рассмотрение в Тайваньский филиал Китайского агентства по науке и технике. Я надеюсь, что правительство может помочь решить такие проблемы, как земля, вода и электричество.
Новый объект является частью Центра превосходства NAND компании Micron, который будет использовать свои долгосрочные инвестиции в сингапурскую инфраструктуру и технологический опыт для продвижения 3D NAND Flash путем расширения чистых помещений и процессов преобразования.
Центр передового опыта Micron NAND разработан с использованием самых современных интеллектуальных производственных возможностей, чтобы обеспечить расширение для нескольких поколений преобразования 3D NAND. С нетерпением ожидая продолжения работы с местными поставщиками, университетами и государственными учреждениями Сингапура для инноваций и достижения успеха, он также благодарит соответствующих партнеров и организации за расширение планов расширения Micron.
В целом, строительство нового сингапурского предприятия представляет собой технологическую трансформацию передовых узлов технологии 3D NANDFlash в ответ на потребности клиентов в секторах 5G, AI и автономного вождения, а также способствует дальнейшему росту Micron.
