SI5915DC-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Без свинца / Соответствует RoHS
Дискретные полупроводниковые приборы
SI5915DC-T1-GE3.pdf

часть # SI5915DC-T1-GE3 доступна, см. описание SI5915DC-T1-GE3 как ниже.
используйте форму запроса для запроса цены SI5915DC-T1-GE3 и времени выполнения заказа.
Купить электронные компоненты на zeanoit.com. Мы являемся независимым дистрибьютором электронных компонентов с обширным запасом на складе.
Цена и время выполнения заказа на SI5915DC-T1-GE3 зависят от требуемого количества, наличия и местоположения склада. Свяжитесь с нами сегодня, и наш отдел продаж скоро отправит вам предложение.
Электронная почта: sales@zeanoit.com

Request Quote

Спецификация
Отзывы
Оплата
Перевозка
упаковка

Vgs (й) (Max) @ Id:	450mV @ 250µA (Min)
Поставщик Упаковка устройства:	1206-8 ChipFET™
Серии:	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	70 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Мощность - Макс:	1.1W
упаковка:	Tape & Reel (TR)
Упаковка /:	8-SMD, Flat Lead
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:	-
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:	9nC @ 4.5V
Тип FET:	2 P-Channel (Dual)
FET Характеристика:	Logic Level Gate
Слить к источнику напряжения (VDSS):	8V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:	3.4A