Запрос цитаты
русский
EnglishDeutschFrançaisItalia한국의العربيةTürk diliSuomipolskiNederlandČeština繁体中文Български езикΕλλάδαTiếng ViệtSlovenskáSvenskaIndonesiaDanskMagyarországעִבְרִיתрусскийPortuguêsGaeilgeاردوБеларусьPilipinoHrvatskaromânescMelayuKongeriketSlovenijaภาษาไทยУкраїнаespañolMaoriहिंदीفارسی
Запросить цену
Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые приборы > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IRF820L

IRF820L

IRF820L
деталь № IRF820L Является ли это часто используемой деталью? : Да
Поставляется из: склада HK или Сингапура
Одна и та же модель может иметь несколько партий, изображения только для справки.
Модели ECAD: свяжитесь с нами, чтобы получить
Электронная почта: sales@zeanoit.com

Request Quote

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Примечание

Процесс покупки

Vgs (й) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:I2PAK
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3 Ohm @ 1.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):3.1W (Ta), 50W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:360pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:24nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Слить к источнику напряжения (VDSS):500V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:2.5A (Tc)


Если у вас есть неправильные компоненты, которые не заказали. Мы будем исследовать, кто возьмет на себя ответственность по поводу этой проблемы.
Если это наше, мы будем доставлены правильные компоненты для обмена товаров после того, как получили неправильные компоненты отправить обратно.
Если это ваше, клиент возьмет на себя ответственность. Для подробностей, пожалуйста, свяжитесь с нашим обслуживанием клиентов или продажами.

Сопутствующие товары

Угадай, что ты ищешь