RN2906FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Без свинца / Соответствует RoHS
Дискретные полупроводниковые приборы
RN2906FE(TE85L,F).pdf

Мы можем поставить Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE(TE85L,F), использовать форму запроса запроса, чтобы запросить RN2906FE(TE85L,F) pirce, Toshiba Semiconductor and Storage Datasheet PDF и привести время. Zeanoit.com является профессиональным дистрибьютором электронных компонентов. С 3+ миллионами позиций доступных электронных компонентов можно отправить в кратчайшие сроки, более 250 тысяч номеров деталей электронных компонентов на складе для немедленной доставки, которые могут включать номер детали RN2906FE(TE85L,F). Цена и время выполнения для RN2906FE(TE85L,F) в зависимости от количества требуется, наличие и местоположение склада.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: минимальный:1; Множественные:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Спецификация
Отзывы
Оплата
Перевозка
упаковка

Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):	50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Поставщик Упаковка устройства:	ES6
Серии:	-
Резистор - Излучатель Base (R2) (Ом):	47k
Резистор - Base (R1) (Ом):	4.7k
Мощность - Макс:	100mW
упаковка:	Tape & Reel (TR)
Упаковка /:	SOT-563, SOT-666
Тип установки:	Surface Mount
Частота - Переход:	200MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	80 @ 10mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс):	100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс):	100mA