Счет Выйти

Запрос цитаты

Запросить цену

RN2713JE(TE85L,F)

RN2713JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Без свинца / Соответствует RoHS
Дискретные полупроводниковые приборы
RN2713JE(TE85L,F).pdf

Изображения приведены только для справки.
См. Технические характеристики продукта.
Если вам интересно купить RN2713JE(TE85L,F), просто напишите нам.
Sales@zeanoit.com
наша команда продаж ответит вам в течение 24 часов

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: минимальный:1; Множественные:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Процесс покупки

1Confirm the product
2submit the order
3payment
4wait for delivery
5receive the goods

Спецификация
Отзывы
Оплата
Перевозка
упаковка

Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):	50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Тип транзистор:	2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Поставщик Упаковка устройства:	ESV
Серии:	-
Резистор - Излучатель Base (R2) (Ом):	-
Резистор - Base (R1) (Ом):	47k
Мощность - Макс:	100mW
упаковка:	Tape & Reel (TR)
Упаковка /:	SOT-553
Тип установки:	Surface Mount
Частота - Переход:	200MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	120 @ 1mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс):	100nA (ICBO)
Ток - коллектор (Ic) (Макс):	100mA

Если у вас есть неправильные компоненты, которые не заказали. Мы будем исследовать, кто возьмет на себя ответственность по поводу этой проблемы.

Если это наше, мы будем доставлены правильные компоненты для обмена товаров после того, как получили неправильные компоненты отправить обратно.

Если это ваше, клиент возьмет на себя ответственность. Для подробностей, пожалуйста, свяжитесь с нашим обслуживанием клиентов или продажами.