Счет Выйти

Запрос цитаты

Запросить цену

SI8472DB-T2-E1

Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO
Без свинца / Соответствует RoHS
Дискретные полупроводниковые приборы
SI8472DB-T2-E1.pdf

Изображения приведены только для справки.
См. Технические характеристики продукта.
Если вам интересно купить SI8472DB-T2-E1, просто напишите нам.
Sales@zeanoit.com
наша команда продаж ответит вам в течение 24 часов

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: минимальный:1; Множественные:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Цена
3000	$0.199
6000	$0.186
15000	$0.173
30000	$0.164

Процесс покупки

1Confirm the product
2submit the order
3payment
4wait for delivery
5receive the goods

Спецификация
Отзывы
Оплата
Перевозка
упаковка

Vgs (й) (Max) @ Id:	900mV @ 250µA
Vgs (макс.):	±8V
Технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:	4-Micro Foot (1x1)
Серии:	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	44 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс):	780mW (Ta), 1.8W (Tc)
упаковка:	Tape & Reel (TR)
Упаковка /:	4-UFBGA
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:	630pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:	18nC @ 8V
Тип FET:	N-Channel
FET Характеристика:	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):	1.5V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS):	20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:	-

Если у вас есть неправильные компоненты, которые не заказали. Мы будем исследовать, кто возьмет на себя ответственность по поводу этой проблемы.

Если это наше, мы будем доставлены правильные компоненты для обмена товаров после того, как получили неправильные компоненты отправить обратно.

Если это ваше, клиент возьмет на себя ответственность. Для подробностей, пожалуйста, свяжитесь с нашим обслуживанием клиентов или продажами.