| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1.3V @ 1A |
|---|---|
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 100V |
| Поставщик Упаковка устройства: | DO-204AL (DO-41) |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 150ns |
| упаковка: | Tape & Box (TB) |
| Упаковка /: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Рабочая температура - Соединение: | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки: | Through Hole |
| Диод Тип: | Standard |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 5µA @ 100V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 1A |
| Емкостной @ В.Р., F: | 15pF @ 4V, 1MHz |
RGP10BEHE3/54
DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
RGP10BE-E3/73
DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
RGP10BE-M3/54
DIODE SW 1A 100V 150NS DO204AL
RGP10BEHE3/91
DIODE SW 1A 100V 150NS DO-204AL
RGP10BE-E3/53
DIODE SW 1A 100V 150NS DO-204AL
RGP10BE-E3/54
DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
RGP10BEHE3/73
DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
RGP10BHE3/54
DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
RGP10BE-E3/91
DIODE SW 1A 100V 150NS DO-204AL
RGP10BEHE3/53
DIODE SW 1A 100V 150NS DO-204AL
SIT1602BC-72-28S-66.660000E
-20 TO 70C, 2016, 25PPM, 2.8V, 6
SIT1602BI-71-18N-66.000000D
-40 TO 85C, 2016, 20PPM, 1.8V, 6
SIT1602BC-11-25S-33.330000E
-20 TO 70C, 2520, 20PPM, 2.5V, 3
SIT1602BC-21-18E-14.000000E
-20 TO 70C, 3225, 20PPM, 1.8V, 1
SIT8008BIA83-33E-8.000000Y
OSC MEMS 8.0000MHZ LVCMOS SMD
SIT1602BC-31-33N-74.250000Y
-20 TO 70C, 5032, 20PPM, 3.3V, 7
TA-19.440MCD-T
OSC MEMS 19.44MHZ CMOS SMD
SIT1602BC-23-33N-50.000000G
-20 TO 70C, 3225, 50PPM, 3.3V, 5
OCETDCKANF-12.800000
OSC XO 12.8000MHZ CMOS SMD
SIT1602BC-71-33E-6.000000G
-20 TO 70C, 2016, 20PPM, 3.3V, 6
