Запрос цитаты
русский
EnglishDeutschFrançaisItalia한국의العربيةTürk diliSuomipolskiNederlandČeština繁体中文Български езикΕλλάδαTiếng ViệtSlovenskáSvenskaIndonesiaDanskMagyarországעִבְרִיתрусскийPortuguêsGaeilgeاردوБеларусьPilipinoHrvatskaromânescMelayuKongeriketSlovenijaภาษาไทยУкраїнаespañolMaoriहिंदीفارسی
Запросить цену
Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые приборы > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл, заранее пр > PDTC123TMB,315

PDTC123TMB,315

PDTC123TMB,315
Цена:
US$ 0.081
Количество:
1. Пожалуйста, подтвердите детали, которые включают в себя номер детали и производителя продукции при заказе.
2. Если у вас есть список спецификаций (BOM), который необходимо указать, вы можете отправить его на нашу электронную почту.
3.Вы можете написать нам, чтобы изменить детали заказа перед отправкой.
4. Заказы не могут быть отменены после доставки пакетов.

Request Quote

Out Stock0 pcs
минимальный:1
Множественные:1
Manufacturer lead time 10 weeks
Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Примечание

Процесс покупки

Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):50V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
Тип транзистор:NPN - Pre-Biased
Поставщик Упаковка устройства:3-DFN1006B (0.6x1)
Серии:-
Резистор - Излучатель Base (R2) (Ом):-
Резистор - Base (R1) (Ом):2.2k
Мощность - Макс:250mW
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:3-XFDFN
Тип установки:Surface Mount
Частота - Переход:230MHz
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 20mA, 5V
Ток - Коллектор Граничная (Макс):1µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс):100mA


Если у вас есть неправильные компоненты, которые не заказали. Мы будем исследовать, кто возьмет на себя ответственность по поводу этой проблемы.
Если это наше, мы будем доставлены правильные компоненты для обмена товаров после того, как получили неправильные компоненты отправить обратно.
Если это ваше, клиент возьмет на себя ответственность. Для подробностей, пожалуйста, свяжитесь с нашим обслуживанием клиентов или продажами.

Сопутствующие товары

Угадай, что ты ищешь