APTGT200A120D3G

Microsemi
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
Без свинца / Соответствует RoHS
Дискретные полупроводниковые приборы
1.APTGT200A120D3G.pdf 2.APTGT200A120D3G.pdf

часть # APTGT200A120D3G доступна, см. описание APTGT200A120D3G как ниже.
используйте форму запроса для запроса цены APTGT200A120D3G и времени выполнения заказа.
Купить электронные компоненты на zeanoit.com. Мы являемся независимым дистрибьютором электронных компонентов с обширным запасом на складе.
Цена и время выполнения заказа на APTGT200A120D3G зависят от требуемого количества, наличия и местоположения склада. Свяжитесь с нами сегодня, и наш отдел продаж скоро отправит вам предложение.
Электронная почта: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: минимальный:1; Множественные:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Спецификация
Отзывы
Оплата
Перевозка
упаковка

Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):	1200V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic:	2.1V @ 15V, 200A
Поставщик Упаковка устройства:	D3
Серии:	-
Мощность - Макс:	1040W
Упаковка /:	D-3 Module
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC термистора:	No
Тип установки:	Chassis Mount
Входная емкость (Cies) @ Vce:	14nF @ 25V
вход:	Standard
Тип IGBT:	Trench Field Stop
Ток - Коллектор Граничная (Макс):	6mA
Ток - коллектор (Ic) (Макс):	300A
конфигурация:	Half Bridge