Запрос цитаты
русский
EnglishDeutschFrançaisItalia한국의العربيةTürk diliSuomipolskiNederlandČeština繁体中文Български езикΕλλάδαTiếng ViệtSlovenskáSvenskaIndonesiaDanskMagyarországעִבְרִיתрусскийPortuguêsGaeilgeاردوБеларусьPilipinoHrvatskaromânescMelayuKongeriketSlovenijaภาษาไทยУкраїнаespañolMaoriहिंदीفارسی
Запросить цену
Главная > Продукты > Дискретные полупроводниковые приборы > Транзисторы - igbt - сингл > APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G
Цена:
US$ 20.97
Количество:
деталь № APT65GP60L2DQ2G Является ли это часто используемой деталью? : Да
Поставляется из: склада HK или Сингапура
Одна и та же модель может иметь несколько партий, изображения только для справки.
Модели ECAD: свяжитесь с нами, чтобы получить
Электронная почта: sales@zeanoit.com

Request Quote

In Stock69 pcs
минимальный:1
Множественные:1
Manufacturer lead time 10 weeks
Цена
1 $20.97
10 $19.395
25 $17.822
100 $16.564
250 $15.202
500 $14.468
Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Примечание

Процесс покупки

Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic:2.7V @ 15V, 65A
режим для испытаний:400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td (вкл / выкл) при 25 ° C:30ns/90ns
Переключение энергии:605µJ (on), 895µJ (off)
Серии:POWER MOS 7®
Мощность - Макс:833W
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-264-3, TO-264AA
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Тип ввода:Standard
Тип IGBT:PT
Заряд затвора:210nC
Ток - Коллектор Импульсные (ICM):250A
Ток - коллектор (Ic) (Макс):198A


Если у вас есть неправильные компоненты, которые не заказали. Мы будем исследовать, кто возьмет на себя ответственность по поводу этой проблемы.
Если это наше, мы будем доставлены правильные компоненты для обмена товаров после того, как получили неправильные компоненты отправить обратно.
Если это ваше, клиент возьмет на себя ответственность. Для подробностей, пожалуйста, свяжитесь с нашим обслуживанием клиентов или продажами.

Сопутствующие товары

Угадай, что ты ищешь