| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4.5V @ 8mA |
|---|---|
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | SOT-227B |
| Серии: | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 500mA, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 890W (Tc) |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Chassis Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 12800pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 250nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 500V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 80A |
IXFN80N50Q3
MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227
IXFN80N50
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
IXFN82N60P
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
IXFN73N30
MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
IXFN80N50P
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
IXFN90N30
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
IXFN80N48
MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B
IXFN73N30Q
MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
IXFN80N60P3
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
IXFN82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
FDB86135
MOSFET N-CH 100V D2PAK
NTD20N06LT4
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
FDI2532
MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB
BSS138LT1
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
FQI2NA90TU
MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK
APT40M70LVFRG
MOSFET N-CH 400V 57A TO-264
OD5015-12LSS02A
FAN AXIAL 50X15MM 12VDC WIRE
GB0535AEV1-8A B1360.F.GN
FAN BLOWER 34.8X7.3MM 5VDC WIRE
ATS-21H-204-C1-R0
HEATSINK 54X54X12MM XCUT
ATS-14D-194-C2-R0
HEATSINK 40X40X10MM XCUT T766
