MURT10005R

GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER
Без свинца / Соответствует RoHS
Дискретные полупроводниковые приборы
1.MURT10005R.pdf 2.MURT10005R.pdf

Мы можем поставить MURT10005R, использовать форму запроса запроса, чтобы запросить MURT10005R pirce и привести время. Zeano является профессиональным дистрибьютором электронных компонентов. С 3+ миллионами позиций доступных электронных компонентов можно отправить за короткое время, более 250 тыс. Номеров электронных компонентов на складе для немедленной доставки, которые могут включать номер детали MURT10005R. Цена и время выполнения для MURT10005R в зависимости от количества требуемое и складское местоположение. Свяжитесь с нами, и наш торговый представитель предоставит вам цену. Мы будем рады работать с вами.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: минимальный:1; Множественные:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Спецификация
Отзывы
Оплата
Перевозка
упаковка

Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если:	1.3V @ 50A
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс):	50V
Поставщик Упаковка устройства:	Three Tower
скорость:	Fast Recovery = 200mA (Io)
Серии:	-
Обратное время восстановления (ТИР):	75ns
упаковка:	Bulk
Упаковка /:	Three Tower
Рабочая температура - Соединение:	-55°C ~ 150°C
Тип установки:	Chassis Mount
Диод Тип:	Standard
Диод Конфигурация:	1 Pair Common Anode
Ток - Обратный утечки @ Vr:	25µA @ 50V
Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode):	100A (DC)